Bipolartransistor 2N3232
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3232
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7.5 A
- Verlustleistung, max: 115 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2N3232
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3232
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