Bipolartransistor 2N3232

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3232

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7.5 A
  • Verlustleistung, max: 115 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N3232

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3232

Sie können den Transistor 2N3232 durch einen KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002 oder MJ14002G ersetzen.
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